Uhnevionak, V.: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (13)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Hall Factor Calculation for the Characterization of Transport Properties in N-Channel 4H-SiC MOSFETs

Uhnevionak, Viktoryia, Burenkov, Alex, Strenger, Christian, Mortet, Vincent, Bedel-Pereira, Elena, Cristiano, Fuccio, Bauer, Anton J., Pichler, Peter

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 804 KB

english, 2014

2

On the Temperature Dependence of the Hall Factor in n-Channel 4H-SiC MOSFETs

Uhnevionak, V., Burenkov, A., Strenger, C., Bauer, A., Pichler, P.

Журнал:

ECS Transactions

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 747 KB

english, 2013

3

Comprehensive Study of the Electron Scattering Mechanisms in 4H-SiC MOSFETs

Uhnevionak, Viktoryia, Burenkov, Alexander, Strenger, Christian, Ortiz, Guillermo, Bedel-Pereira, Elena, Mortet, Vincent, Cristiano, Fuccio, Bauer, Anton J., Pichler, Peter

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.09 MB

english, 2015

4

[IEEE ESSDERC 2013 - 43rd European Solid State Device Research Conference - Bucharest, Romania (2013.09.16-2013.09.20)] 2013 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) - Characterization of n-channel MOSFETs: Electrical measurements and simulation analysis

Uhnevionak, V., Strenger, C., Burenkov, A., Mortet, V., Bedel-Pereira, E., Lorenz, J, Pichler, P.

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.33 MB

english, 2013

5

[IEEE 2013 9th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME) - Villach, Austria (2013.06.24-2013.06.27)] Proceedings of the 2013 9th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME) - On the calculation of Hall factors for the characterization of electronic devices

Uhnevionak, V., Burenkov, A., Pichler, P.

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 224 KB

english, 2013

6

Impact of acceptor concentration on electrical properties and density of interface states of 4H-SiC n-metal-oxide-semiconductor field effect transistors studied by Hall effect

Ortiz, G., Strenger, C., Uhnevionak, V., Burenkov, A., Bauer, A. J., Pichler, P., Cristiano, F., Bedel-Pereira, E., Mortet, V.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 980 KB

english, 2015

7

Hall Effect Characterization of 4H-SiC MOSFETs: Influence of Nitrogen Channel Implantation

Mortet, V., Bedel-Pereira, E., Bobo, J.F., Cristiano, F., Strenger, C., Uhnevionak, V., Burenkov, A., Bauer, A.J.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 490 KB

english, 2013

8

Systematic Analysis of the High- and Low-Field Channel Mobility in Lateral 4H-SiC MOSFETs

Strenger, Christian, Uhnevionak, Viktoryia, Mortet, Vincent, Ortiz, Guillermo, Erlbacher, Tobias, Burenkov, Alexander, Bauer, A.J., Cristiano, Fuccio, Bedel-Pereira, Eléna, Pichler, Peter, Ryssel, Hei

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 694 KB

english, 2014

9

Verification of Near-Interface Traps Models by Electrical Measurements on 4H-SiC n-Channel Mosfets

Uhnevionak, Viktoryia, Strenger, Christian, Burenkov, Alex, Mortet, Vincent, Bedel-Pereira, Elena, Cristiano, Fuccio, Bauer, Anton, Pichler, Peter

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 837 KB

english, 2013

10

Influence of Ion Implantation in SiC on the Channel Mobility in Lateral N-Channel MOSFETs

Strenger, C., Uhnevionak, V., Burenkov, A., Bauer, A., Pichler, P., Erlbacher, T., Ryssel, H., Frey, L.

Журнал:

ECS Transactions

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 829 KB

english, 2013

11

Correlation of Interface Characteristics to Electron Mobility in Channel-Implanted 4H-SiC Mosfets

Strenger, Christian, Uhnevionak, Viktoryia, Burenkov, Alex, Bauer, Anton, Mortet, Vincent, Bedel-Pereira, Elena, Cristiano, Fuccio, Krieger, Michael, Ryssel, Heiner

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 910 KB

english, 2013

12

Impact of Fabrication Process on Electrical Properties and on Interfacial Density of States in 4H-SiC n-MOSFETs Studied by Hall Effect

Ortiz, Guillermo, Mortet, Vincent, Strenger, Chrisitan, Uhnevionak, Viktoryia, Burenkov, Alexander, Bauer, Anton J., Pichler, Peter, Cristiano, Fuccio, Bedel-Pereira, Eléna

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 448 KB

english, 2014

13

Effect of Bulk Potential Engineering on the Transport Properties of SiC MOSFETs: Characterization and Interpretation

Uhnevionak, Viktoryia, Burenkov, Alex, Strenger, Christian, Ortiz, Guillermo, Mortet, Vincent, Bedel-Pereira, Elena, Cristiano, Fuccio, Bauer, Anton J., Pichler, Peter

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 963 KB

english, 2015